BLS3135-10,114

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Technische Daten

Kategorie:Discrete Semiconductor Products
Familie:RF Transistors (BJT)
Serie:-
Transistor-Typ:NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):75V
Frequenz - Übergang:3.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f):-
Gewinnen:9dB
Leistung - max:34W
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:40 @ 250mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max):1.5A
Befestigungsart:Surface Mount
Verpackung / Gehäuse:SOT-445C
Supplier Device-Gehäuse:CDFM2
Verpackung:Tray