BLS3135-10,114

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Caractéristiques

Catégorie:Discrete Semiconductor Products
la famille:RF Transistors (BJT)
Séries:-
Transistor Type:NPN
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):75V
Fréquence - Transition:3.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Gain:9dB
Puissance - Max:34W
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 250mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):1.5A
Type de montage:Surface Mount
Package / Boîte:SOT-445C
Package composant fournisseur:CDFM2
Emballage:Tray