SI3850ADV-T1-E3

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Caractéristiques

Catégorie:Discrete Semiconductor Products
la famille:FETs - Arrays
Séries:TrenchFET®
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):20V
Courant - drain continu (Id) @ 25 & deg; C:1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs:1.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) @ Vds:-
Puissance - Max:1.08W
Type de montage:Surface Mount
Package / Boîte:6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Package composant fournisseur:6-TSOP
Emballage:Tape & Reel (TR)