BLS3135-10,114

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製品の特徴

カテゴリー:Discrete Semiconductor Products
家族:RF Transistors (BJT)
シリーズ:-
トランジスタ型式:NPN
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):75V
周波数 - トランジション:3.5GHz
ノイズ指数(F @デシベル標準):-
利得:9dB
電力 - 最大:34W
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):40 @ 250mA, 5V
電流 - コレクタ(Ic)(Max):1.5A
装着タイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:SOT-445C
サプライヤデバイスパッケージ:CDFM2
パッケージング:Tray