BLS3135-10,114

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Especificações

Categoria:Discrete Semiconductor Products
Família:RF Transistors (BJT)
Série:-
Tipo transistor:NPN
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):75V
Frequência - Transição:3.5GHz
Fator de ruído (dB Typ @ f):-
Ganho:9dB
Power - Max:34W
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 250mA, 5V
Atual - Collector (Ic) (Max):1.5A
Tipo de montagem:Surface Mount
Caixa / Gabinete:SOT-445C
Embalagem do dispositivo fornecedor:CDFM2
Embalagem:Tray