BLS3135-10,114

Характеристики

категория:	Discrete Semiconductor Products
семья:	RF Transistors (BJT)
Серии:	-
Тип транзистор:	NPN
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):	75V
Частота - Переход:	3.5GHz
Коэффициент шума (дБ Typ @ F):	-
Усиление:	9dB
Мощность - Макс:	34W
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	40 @ 250mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (Макс):	1.5A
Тип установки:	Surface Mount
Упаковка /:	SOT-445C
Поставщик Упаковка устройства:	CDFM2
упаковка:	Tray